Apparatus of memory array using finfets

发明授权

US08039904B2 Apparatus of memory array using finfets 有权

标题翻译：使用finfets的存储器阵列的装置

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专利标题： Apparatus of memory array using finfets
专利标题（中）： 使用finfets的存储器阵列的装置
申请号： US12784526

申请日： 2010-05-21
公开(公告)号： US08039904B2

公开(公告)日： 2011-10-18
发明人: Ronald Kakoschke , Klaus Schruefer
申请人： Ronald Kakoschke , Klaus Schruefer
申请人地址： DE Neubiberg
专利权人： Infineon Technologies AG
当前专利权人： Infineon Technologies AG
当前专利权人地址： DE Neubiberg
代理商 Philip H. Schlazer
主分类号： H01L21/021
IPC分类号： H01L21/021

摘要：

A memory cell includes a FinFET select device and a memory element. In some embodiments a memory cell has a contact element coupled between a surface of the fin and the memory element.

摘要（中）：

存储单元包括FinFET选择装置和存储元件。在一些实施例中，存储器单元具有耦合在鳍片的表面和存储元件之间的接触元件。

公开/授权文献

US20100252895A1 APPARATUS OF MEMORY ARRAY USING FINFETS 公开/授权日：2010-10-07

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