发明授权
- 专利标题： Apparatus of memory array using finfets
- 专利标题（中）： 使用finfets的存储器阵列的装置
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申请号： US12784526申请日： 2010-05-21
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公开(公告)号： US08039904B2公开(公告)日： 2011-10-18
- 发明人: Ronald Kakoschke , Klaus Schruefer
- 申请人： Ronald Kakoschke , Klaus Schruefer
- 申请人地址： DE Neubiberg
- 专利权人： Infineon Technologies AG
- 当前专利权人： Infineon Technologies AG
- 当前专利权人地址： DE Neubiberg
- 代理商 Philip H. Schlazer
- 主分类号： H01L21/021
- IPC分类号： H01L21/021
摘要：
A memory cell includes a FinFET select device and a memory element. In some embodiments a memory cell has a contact element coupled between a surface of the fin and the memory element.
公开/授权文献
- US20100252895A1 APPARATUS OF MEMORY ARRAY USING FINFETS 公开/授权日：2010-10-07