发明授权
US08057870B2 Composition for forming gate insulating layer of organic thin-film transistor and organic thin film transistor using the same
有权
用于形成有机薄膜晶体管的栅极绝缘层和使用其的有机薄膜晶体管的组合物
- 专利标题： Composition for forming gate insulating layer of organic thin-film transistor and organic thin film transistor using the same
- 专利标题（中）： 用于形成有机薄膜晶体管的栅极绝缘层和使用其的有机薄膜晶体管的组合物
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申请号： US12226955申请日： 2007-05-03
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公开(公告)号： US08057870B2公开(公告)日： 2011-11-15
- 发明人: Jae-Min Lee , Hyeon Choi , Min-Jeong Lee , Hee-Jung Kim , Young-Whan Park , Dong-Ryul Kim
- 申请人： Jae-Min Lee , Hyeon Choi , Min-Jeong Lee , Hee-Jung Kim , Young-Whan Park , Dong-Ryul Kim
- 申请人地址： KR Seoul
- 专利权人： LG Chem, Ltd.
- 当前专利权人： LG Chem, Ltd.
- 当前专利权人地址： KR Seoul
- 代理机构： McKenna Long & Aldridge LLP
- 优先权： KR10-2006-0040636 20060504
- 国际申请： PCT/KR2007/002176 WO 20070503
- 国际公布： WO2007/129832 WO 20071115
- 主分类号： C09K19/00
- IPC分类号： C09K19/00
摘要：
The present invention relates to a composition for forming a gate insulating layer of an organic thin film transistor comprising polyarylate, and an organic thin film transistor comprising a gate insulating layer, which is formed using the composition, in contact with an organic semiconductor channel.
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