发明授权
- 专利标题： Method for forming an interfacial passivation layer on the Ge semiconductor
- 专利标题（中）： 在Ge半导体上形成界面钝化层的方法
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申请号： US12953601申请日： 2010-11-24
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公开(公告)号： US08071458B1公开(公告)日： 2011-12-06
- 发明人: Po-Tsun Liu , Chen-Shuo Huang , Yi-Ling Huang , Szu-Lin Cheng , Simon M. Sze , Yoshio Nishi
- 申请人： Po-Tsun Liu , Chen-Shuo Huang , Yi-Ling Huang , Szu-Lin Cheng , Simon M. Sze , Yoshio Nishi
- 申请人地址： TW Hsinchu
- 专利权人： National Chiao Tung University
- 当前专利权人： National Chiao Tung University
- 当前专利权人地址： TW Hsinchu
- 代理机构： Bacon & Thomas, PLLC
- 优先权： TW99127661A 20100819
- 主分类号： H01L21/02
- IPC分类号： H01L21/02
摘要：
The invention discloses a method for forming an interfacial passivation layer on the Ge semiconductor. The supercritical CO2 fluids is used to form an interfacial passivation layer between Ge channel and gate insulator layer, and improve the dielectric characteristics of gate insulator after high-temperature thermal annealing process.
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