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发明授权
US08071989B2 Multi-chip package with a plurality of chip pads arranged in an array 失效
具有排列成阵列的多个芯片焊盘的多芯片封装

Multi-chip package with a plurality of chip pads arranged in an array
摘要：
A circuit structure of a package carrier including a plurality of chip pads, a first electrode, a second electrode, a third electrode and a fourth electrode is provided. These chip pads are arranged in an M×N array. A first bonding pad, a second bonding pad, a third bonding pad and a fourth bonding pad are disposed clockwise in the peripheral area of each chip pad in sequence. The orientations of each of the first, second, third, and fourth bonding pads of the (S−1)th row rotated by 90 degrees are equal to the orientations of each of the first, second, third and fourth bonding pads of the Sth row, respectively. The first electrode is connected with each first bonding pad. The second electrode is connected with each second bonding pad. The third electrode is connected with each third bonding pad. The fourth electrode is connected with each fourth bonding pad.
摘要（中）：

提供了包括多个芯片焊盘，第一电极，第二电极，第三电极和第四电极的封装载体的电路结构。 这些芯片焊盘以M×N阵列排列。 第一接合焊盘，第二接合焊盘，第三接合焊盘和第四接合焊盘顺序地设置在每个芯片焊盘的外围区域中。 第（S-1）行的第一，第二，第三，第四和第四接合焊盘的旋转90度的取向与Sth的第一，第二，第三和第四接合焊盘的取向相等 行。 第一电极与每个第一接合焊盘连接。 第二电极与每个第二接合焊盘连接。 第三电极与每个第三接合焊盘连接。 第四电极与每个第四接合焊盘连接。

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IPC分类:
H 电学
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L29/00 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件（H01L31/00至H01L47/00，H01L51/05优先；除半导体或其电极之外的零部件入H01L23/00；由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L27/00）
H01L29/02 .按其半导体本体的特征区分的
H01L29/12 ..按其构成材料的特征区分的
H01L29/20 ...除掺杂材料或其他杂质外，只包括AⅢBⅤ化合物的
H01L29/201 ....包括两种或更多种化合物的
H01L29/205 .....在不同半导体区域中的
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