发明授权
- 专利标题： Apparatus and methods for improved flash cell characteristics
- 专利标题（中）： 用于改善闪存单元特性的装置和方法
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申请号： US12317535申请日： 2008-12-24
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公开(公告)号： US08072022B2公开(公告)日： 2011-12-06
- 发明人: Pranav Kalavade , Krishna Parat , Ervin Hill , Kiran Pangal
- 申请人： Pranav Kalavade , Krishna Parat , Ervin Hill , Kiran Pangal
- 申请人地址： US CA Santa Clara
- 专利权人： Intel Corporation
- 当前专利权人： Intel Corporation
- 当前专利权人地址： US CA Santa Clara
- 代理商 Scott M. Lane
- 主分类号： H01L29/423
- IPC分类号： H01L29/423 ; H01L29/739
摘要：
Embodiments of an apparatus and methods for providing improved flash memory cell characteristics are generally described herein. Other embodiments may be described and claimed.
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