发明授权
- 专利标题： Moisture sensor
- 专利标题（中）： 水分传感器
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申请号： US12093667申请日： 2006-10-24
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公开(公告)号： US08079248B2公开(公告)日： 2011-12-20
- 发明人: Romano Hoofman , Julien Maurice Marcel Michelon
- 申请人： Romano Hoofman , Julien Maurice Marcel Michelon
- 申请人地址： NL Eindhoven
- 专利权人： NXP B.V.
- 当前专利权人： NXP B.V.
- 当前专利权人地址： NL Eindhoven
- 优先权： EP05110874 20051117
- 国际申请： PCT/IB2006/053907 WO 20061024
- 国际公布： WO2007/057794 WO 20070524
- 主分类号： G01N7/00
- IPC分类号： G01N7/00
摘要：
A moisture sensor includes interdigitated first and second electrodes formed in trenches A porous low-k dielectric is provided between the electrodes. The electrodes are of Cu surrounded by a barrier layer to protect the Cu from corrosion. TiN may be used as barrier layer and selectively deposited barrier material such as CoWB, MoWB or NiMoP as barrier layer.
公开/授权文献
- US20080316673A1 Moisture Sensor 公开/授权日：2008-12-25
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