发明授权
- 专利标题： Image sensor and method for fabricating the same
- 专利标题（中）： 图像传感器及其制造方法
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申请号： US12493792申请日： 2009-06-29
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公开(公告)号： US08101453B2公开(公告)日： 2012-01-24
- 发明人: Jin-Ho Park
- 申请人： Jin-Ho Park
- 申请人地址： KR Seoul
- 专利权人： Dongbu HiTek Co., Ltd.
- 当前专利权人： Dongbu HiTek Co., Ltd.
- 当前专利权人地址： KR Seoul
- 代理机构： Sherr & Vaughn, PLLC
- 优先权： KR10-2008-0061599 20080627
- 主分类号： H01L21/00
- IPC分类号： H01L21/00
摘要：
An image sensor of a semiconductor and a method for fabricating the same includes a photodiode; an interlayer dielectric layer formed over the photodiode; a wave guide including an ion implantation layer formed in the interlayer dielectric; a color filter formed over the interlayer dielectric layer; and a micro lens formed over the color filter.
公开/授权文献
- US20090321866A1 IMAGE SENSOR AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME 公开/授权日：2009-12-31
信息查询
IPC分类:
