发明授权
US08110333B2 Resist composition containing novel sulfonium compound, pattern-forming method using the resist composition, and novel sulfonium compound
有权
含有新型锍化合物的抗蚀剂组合物，使用抗蚀剂组合物的图案形成方法和新型锍化合物
- 专利标题： Resist composition containing novel sulfonium compound, pattern-forming method using the resist composition, and novel sulfonium compound
- 专利标题（中）： 含有新型锍化合物的抗蚀剂组合物，使用抗蚀剂组合物的图案形成方法和新型锍化合物
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申请号： US12184780申请日： 2008-08-01
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公开(公告)号： US08110333B2公开(公告)日： 2012-02-07
- 发明人: Sou Kamimura , Yasutomo Kawanishi , Kenji Wada , Tomotaka Tsuchimura
- 申请人： Sou Kamimura , Yasutomo Kawanishi , Kenji Wada , Tomotaka Tsuchimura
- 申请人地址： JP Tokyo
- 专利权人： Fujifilm Corporation
- 当前专利权人： Fujifilm Corporation
- 当前专利权人地址： JP Tokyo
- 代理机构： Sughrue Mion, PLLC
- 优先权： JP2007-203152 20070803
- 主分类号： G03F7/004
- IPC分类号： G03F7/004 ; G03F7/30
摘要：
A resist composition includes (A) a compound represented by the following formula (I): wherein each of R1 to R13 independently represents a hydrogen atom or a substituent, provided that at least one of R1 to R13 is a substituent containing an alcoholic hydroxyl group; Z represents a single bond or a divalent linking group; and X− represents an anion containing a proton acceptor functional group.
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