发明授权
US08117986B2 Apparatus for an improved deposition shield in a plasma processing system
有权
用于等离子体处理系统中改进的沉积屏蔽的装置
- 专利标题： Apparatus for an improved deposition shield in a plasma processing system
- 专利标题（中）： 用于等离子体处理系统中改进的沉积屏蔽的装置
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申请号： US11581000申请日： 2006-10-16
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公开(公告)号： US08117986B2公开(公告)日： 2012-02-21
- 发明人: Hidehito Saigusa , Taira Takase , Kouji Mitsuhashi , Hiroyuki Nakayama
- 申请人： Hidehito Saigusa , Taira Takase , Kouji Mitsuhashi , Hiroyuki Nakayama
- 申请人地址： JP Tokyo
- 专利权人： Tokyo Electron Limited
- 当前专利权人： Tokyo Electron Limited
- 当前专利权人地址： JP Tokyo
- 代理机构： Oblon, Spivak, McClelland, Maier & Neustadt, L.L.P.
- 主分类号： C23C16/00
- IPC分类号： C23C16/00
摘要：
The present invention presents an improved deposition shield for surrounding a process space in a plasma processing system, wherein the design and fabrication of the deposition shield advantageously provides for a clean processing plasma in the process space with substantially minimal erosion of the deposition shield.
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