发明授权
- 专利标题： AlGaInN-based lasers produced using etched facet technology
- 专利标题（中）： 基于AlGaInN的激光器采用蚀刻刻面技术生产
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申请号： US11455636申请日： 2006-06-20
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公开(公告)号： US08130806B2公开(公告)日： 2012-03-06
- 发明人: Alex A. Behfar , Alfred T. Schremer , Cristian B. Stagarescu , Vainateya
- 申请人： Alex A. Behfar , Alfred T. Schremer , Cristian B. Stagarescu , Vainateya
- 申请人地址： US NY Ithaca
- 专利权人： BinOptics Corporation
- 当前专利权人： BinOptics Corporation
- 当前专利权人地址： US NY Ithaca
- 代理商 William A. Blake
- 主分类号： H01S5/00
- IPC分类号： H01S5/00
摘要：
A process for fabricating lasers capable of emitting blue light wherein a GaN wafer is etched to form laser waveguides and mirrors using a temperature of over 500° C. and an ion beam in excess of 500 V in CAIBE.
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