发明授权
- 专利标题： CMP slurry composition for forming metal wiring line
- 专利标题（中）： 用于形成金属布线的CMP浆料组合物
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申请号： US12448594申请日： 2007-12-28
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公开(公告)号： US08137580B2公开(公告)日： 2012-03-20
- 发明人: Dong-Mok Shin , Eun-Mi Choi , Seung-Beom Cho , Hyun-Chul Ha
- 申请人： Dong-Mok Shin , Eun-Mi Choi , Seung-Beom Cho , Hyun-Chul Ha
- 申请人地址： KR Seoul
- 专利权人： LG Chem, Ltd.
- 当前专利权人： LG Chem, Ltd.
- 当前专利权人地址： KR Seoul
- 代理机构： McKenna Long & Aldridge LLP
- 优先权： KR10-2006-0137927 20061229
- 国际申请： PCT/KR2007/006931 WO 20071228
- 国际公布： WO2008/082177 WO 20080710
- 主分类号： C09K13/00
- IPC分类号： C09K13/00
摘要：
Disclosed is CMP slurry, which includes a pyridine-based compound including at least two pyridinyl groups, and minimizes the occurrence of dishing and erosion of a wiring line.
公开/授权文献
- US20100068883A1 CMP SLURRY COMPOSITION FOR FORMING METAL WIRING LINE 公开/授权日：2010-03-18
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