发明授权
- 专利标题： Emitter-follower type bias circuit
- 专利标题（中）： 发射体跟随器型偏置电路
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申请号： US12875168申请日： 2010-09-03
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公开(公告)号： US08138836B2公开(公告)日： 2012-03-20
- 发明人: Takayuki Matsuzuka , Kazuya Yamamoto , Tomoyuki Asada
- 申请人： Takayuki Matsuzuka , Kazuya Yamamoto , Tomoyuki Asada
- 申请人地址： JP Tokyo
- 专利权人： Mitsubishi Electric Corporation
- 当前专利权人： Mitsubishi Electric Corporation
- 当前专利权人地址： JP Tokyo
- 代理机构： Leydig, Voit & Mayer, Ltd.
- 优先权： JP2010-021073 20100202
- 主分类号： H03F3/16
- IPC分类号： H03F3/16
摘要：
An emitter-follower bias circuit supplying a bias voltage to the base of an amplification transistor includes: a depletion mode FET boosting a reference voltage; and an emitter-follower circuit generating the bias voltage in response to the reference voltage boosted by the depletion mode FET.
公开/授权文献
- US20110187459A1 EMITTER-FOLLOWER TYPE BIAS CIRCUIT 公开/授权日：2011-08-04
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