Multilayer dielectric defect method

发明授权

US08143128B2 Multilayer dielectric defect method 有权

标题翻译：多层电介质缺陷法

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专利标题： Multilayer dielectric defect method
专利标题（中）： 多层电介质缺陷法
申请号： US12833354

申请日： 2010-07-09
公开(公告)号： US08143128B2

公开(公告)日： 2012-03-27
发明人: Gregory S. Herman , Peter Mardilovich , Randy L. Hoffman , Laura Lynn Kramer , Kurt M. Ulmer
申请人： Gregory S. Herman , Peter Mardilovich , Randy L. Hoffman , Laura Lynn Kramer , Kurt M. Ulmer
申请人地址： US TX Houston
专利权人： Hewlett-Packard Development Company, L.P.
当前专利权人： Hewlett-Packard Development Company, L.P.
当前专利权人地址： US TX Houston
主分类号： H01L21/471
IPC分类号： H01L21/471

摘要：

A method forms a first inorganic dielectric layer having a first concentration of defects and a second inorganic dielectric layer in contact with a first layer and having a second lesser concentration of defects.

摘要（中）：

一种方法形成具有第一缺陷浓度的第一无机介电层和与第一层接触并具有第二较小浓度缺陷的第二无机介电层。

公开/授权文献

US20100279514A1 MULTILAYER DIELECTRIC 公开/授权日：2010-11-04

信息查询

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IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00	专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02	.半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04	..至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/34	...具有H01L21/06，H01L21/16及H01L21/18各组不包含的或有或无杂质，例如掺杂材料的半导体的器件
H01L21/46	....用H01L21/36至H01L21/428各组不包含的方法或设备处理半导体材料的（在半导体材料上制作电极的入H01L21/44）
H01L21/461	.....改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割
H01L21/469	......在半导体材料上形成绝缘层的，例如，用于掩膜的或应用光刻技术的（密封层入H01L21/56）以及这些层的后处理
H01L21/471	.......无机层（H01L21/475，H01L21/4757优先）