发明授权
- 专利标题： CAM cell memory device
- 专利标题（中）： CAM单元存储器件
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申请号： US12633303申请日： 2009-12-08
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公开(公告)号： US08144493B2公开(公告)日： 2012-03-27
- 发明人: Sung Hoon Ahn
- 申请人： Sung Hoon Ahn
- 申请人地址： KR Gyeonggi-do
- 专利权人： Hynix Semiconductor Inc.
- 当前专利权人： Hynix Semiconductor Inc.
- 当前专利权人地址： KR Gyeonggi-do
- 代理机构： IP & T Group LLP
- 优先权： KR10-2008-0123875 20081208
- 主分类号： G11C15/00
- IPC分类号： G11C15/00
摘要：
A code address memory (CAM) cell memory device comprises a first storage unit comprising a first nonvolatile memory cell configured to output a power source voltage in response to a read voltage, and a second storage unit comprising a second nonvolatile memory cell configured to output a ground voltage in response to the read voltage.
公开/授权文献
- US20100142241A1 CAM CELL MEMORY DEVICE 公开/授权日：2010-06-10
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