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发明授权
US08148259B2 Method for manufacturing semiconductor device 有权
制造半导体器件的方法

Method for manufacturing semiconductor device
摘要：
The present invention offers a method for forming an opening portion by a simple process without using a photomask or a resist. Further, the present invention proposes a method for manufacturing a semiconductor device at low cost. A plurality of light absorbing layers is formed over a substrate, an interlayer insulating layer is formed over the plurality of light absorbing layers, the plurality of light absorbing layers is irradiated with a linear or rectangular laser beam from the interlayer insulating layer side, and at least the interlayer insulating layer which is over the plurality of light absorbing layers is removed and an opening portion is formed; and accordingly, a plurality of opening portions can be formed by removing the plurality of light absorbing layers and an insulating film formed over the plurality of light absorbing layers.
摘要（中）：

本发明提供一种通过简单的工艺形成开口部分的方法，而不使用光掩模或抗蚀剂。 此外，本发明提供一种以低成本制造半导体器件的方法。 在衬底上形成多个光吸收层，在多个光吸收层上形成层间绝缘层，多层光吸收层用来自层间绝缘层侧的直线或矩形激光束照射，并且在 除去多个光吸收层之上的层间绝缘层的最小值，形成开口部; 因此，可以通过去除多个光吸收层和形成在多个光吸收层上的绝缘膜来形成多个开口部。

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Espacenet
IPC分类:
H 电学
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04 ..至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/34 ...具有H01L21/06，H01L21/16及H01L21/18各组不包含的或有或无杂质，例如掺杂材料的半导体的器件
H01L21/46 ....用H01L21/36至H01L21/428各组不包含的方法或设备处理半导体材料的（在半导体材料上制作电极的入H01L21/44）
H01L21/461 .....改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割
H01L21/4763 ......非绝缘层的沉积，例如绝缘层上的导电层、电阻层；这些层的后处理（电极的制造入H01L21/28）
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