发明授权
- 专利标题： Memory device and method
- 专利标题（中）： 内存设备和方法
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申请号： US12288984申请日： 2008-10-23
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公开(公告)号： US08149643B2公开(公告)日： 2012-04-03
- 发明人: Joseph Tzou , Thinh Tran , Jun Li
- 申请人： Joseph Tzou , Thinh Tran , Jun Li
- 申请人地址： US CA San Jose
- 专利权人： Cypress Semiconductor Corporation
- 当前专利权人： Cypress Semiconductor Corporation
- 当前专利权人地址： US CA San Jose
- 主分类号： G11C8/00
- IPC分类号： G11C8/00
摘要：
A memory device and method may include separating alternating read and write accesses to different banks of a memory device.
公开/授权文献
- US20100103762A1 Memory device and method 公开/授权日：2010-04-29
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