发明授权
US08154038B2 Group-III nitride for reducing stress caused by metal nitride reflector
有权
III族氮化物，用于减少由金属氮化物反射体引起的应力
- 专利标题： Group-III nitride for reducing stress caused by metal nitride reflector
- 专利标题（中）： III族氮化物，用于减少由金属氮化物反射体引起的应力
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申请号： US12166020申请日： 2008-07-01
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公开(公告)号： US08154038B2公开(公告)日： 2012-04-10
- 发明人: Chen-Hua Yu , Wen-Chih Chiou , Ding-Yuan Chen , Chia-Lin Yu
- 申请人： Chen-Hua Yu , Wen-Chih Chiou , Ding-Yuan Chen , Chia-Lin Yu
- 申请人地址： TW Hsin-Chu
- 专利权人： Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd
- 当前专利权人： Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd
- 当前专利权人地址： TW Hsin-Chu
- 代理机构： Slater & Matsil, L.L.P.
- 主分类号： H01L33/00
- IPC分类号： H01L33/00
摘要：
A device structure includes a substrate; a group-III nitride layer over the substrate; a metal nitride layer over the group-III nitride layer; and a light-emitting layer over the metal nitride layer. The metal nitride layer acts as a reflector reflecting the light emitted by the light-emitting layer.
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