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发明授权
US08159001B2 Graded junction high voltage semiconductor device 有权
分级结高压半导体器件

  • 专利标题： Graded junction high voltage semiconductor device
  • 专利标题（中）： 分级结高压半导体器件
  • 申请号： US11490407
    申请日： 2006-07-19
  • 公开(公告)号： US08159001B2
    公开(公告)日： 2012-04-17
  • 发明人: Bin Wang
  • 申请人： Bin Wang
  • 申请人地址： US CA Mountain View
  • 专利权人： Synopsys, Inc.
  • 当前专利权人： Synopsys, Inc.
  • 当前专利权人地址： US CA Mountain View
  • 代理机构： Fenwick & West LLP
  • 主分类号： H01L29/72
  • IPC分类号： H01L29/72
Graded junction high voltage semiconductor device
摘要：
A graded junction space decreasing an implant concentration gradient between n-well and p-well regions of a semiconductor device is provided for enhancing breakdown voltage in high voltage applications. Split or unified FOX regions may be provided overlapping with the graded junction space. By using a p-well blocking layer to separate the p-well(s) and the n-well, breakdown voltage characteristic is improved without the cost of an additional mask or process change.
摘要（中）：

提供降低半导体器件的n阱和p阱区域之间的注入浓度梯度的分级结空间，用于增强高电压应用中的击穿电压。 分割或统一的FOX区域可以被提供为与分级结合空间重叠。 通过使用p阱阻挡层来分离p阱和n阱，可以提高击穿电压特性，而不需要额外的掩模或工艺变化的成本。

公开/授权文献
信息查询
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IPC分类:
H 电学
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L29/00 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件（H01L31/00至H01L47/00，H01L51/05优先；除半导体或其电极之外的零部件入H01L23/00；由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L27/00）
H01L29/66 .按半导体器件的类型区分的
H01L29/68 ..只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的（H01L29/96优先）
H01L29/70 ...双极器件
H01L29/72 ....晶体管型器件，如连续响应于所施加的控制信号的
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