发明授权
US08183124B2 Silicon carbide and related wide-bandgap transistors on semi insulating epitaxy
失效
碳化硅和半绝缘外延上的相关宽带隙晶体管
- 专利标题： Silicon carbide and related wide-bandgap transistors on semi insulating epitaxy
- 专利标题（中）： 碳化硅和半绝缘外延上的相关宽带隙晶体管
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申请号： US12881771申请日： 2010-09-14
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公开(公告)号： US08183124B2公开(公告)日： 2012-05-22
- 发明人: Michael S. Mazzola
- 申请人： Michael S. Mazzola
- 申请人地址： US MS Jackson
- 专利权人： SS SC IP, LLC
- 当前专利权人： SS SC IP, LLC
- 当前专利权人地址： US MS Jackson
- 代理机构： Morris, Manning & Martin, LLP
- 代理商 Christopher W. Raimund
- 主分类号： H01L21/76
- IPC分类号： H01L21/76
摘要：
A method of making a semi-insulating epitaxial layer includes implanting a substrate or a first epitaxial layer formed on the substrate with boron ions to form a boron implanted region on a surface of the substrate or on a surface of the first epitaxial layer, and growing a second epitaxial layer on the boron implanted region of the substrate or on the boron implanted region of the first epitaxial layer to form a semi-insulating epitaxial layer.
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