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发明授权
US08187942B2 Method for manufacturing semiconductor device having a dual gate insulation layer 失效
具有双栅极绝缘层的半导体器件的制造方法

  • 专利标题： Method for manufacturing semiconductor device having a dual gate insulation layer
  • 专利标题（中）： 具有双栅极绝缘层的半导体器件的制造方法
  • 申请号： US12634889
    申请日： 2009-12-10
  • 公开(公告)号： US08187942B2
    公开(公告)日： 2012-05-29
  • 发明人: Young Bang Lee
  • 申请人： Young Bang Lee
  • 申请人地址： KR Gyeonggi-do
  • 专利权人： Hynix Semiconductor Inc.
  • 当前专利权人： Hynix Semiconductor Inc.
  • 当前专利权人地址： KR Gyeonggi-do
  • 代理机构： Ladas & Parry LLP
  • 优先权： KR10-2009-0031416 20090410
  • 主分类号： H01L21/8234
  • IPC分类号： H01L21/8234
Method for manufacturing semiconductor device having a dual gate insulation layer
摘要：
A method for manufacturing a semiconductor device having a dual gate insulation layer is presented. The method includes a step of forming a first insulation layer on a semiconductor substrate which has a first region and a second region. The method includes a step of selectively removing a portion of the first insulation layer formed the second region of the semiconductor substrate. The removal of the portion of the first insulation layer is conducted using an etching solution comprising propylene glycol, HF and amine. The method also includes a step of forming a second insulation layer on the first insulation layer in the first region and on the semiconductor substrate in the second region.
摘要（中）：

本发明提供一种具有双栅极绝缘层的半导体器件的制造方法。 该方法包括在具有第一区域和第二区域的半导体衬底上形成第一绝缘层的步骤。 该方法包括选择性地去除形成半导体衬底的第二区域的第一绝缘层的一部分的步骤。 使用包含丙二醇，HF和胺的蚀刻溶液进行第一绝缘层的部分的去除。 该方法还包括在第一区域中的第一绝缘层和第二区域中的半导体衬底上形成第二绝缘层的步骤。

公开/授权文献
信息查询
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IPC分类:
H 电学
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造（由预制电组件组成的组装件的制造入H05K3/00，H05K13/00）
H01L21/77 ..在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理（电可编程只读存储器或其多步骤的制造方法入H01L27/115）
H01L21/78 ...把衬底连续地分成多个独立的器件（改变表面物理特性或者半导体形状的切割入H01L21/304）
H01L21/82 ....制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路
H01L21/822 .....衬底是采用硅工艺的半导体的（H01L21/8258优先）
H01L21/8232 ......场效应工艺
H01L21/8234 .......MIS工艺
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