发明授权
- 专利标题： Integrated circuits utilizing amorphous oxides
- 专利标题（中）： 采用无定形氧化物的集成电路
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申请号： US12882404申请日： 2010-09-15
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公开(公告)号： US08203146B2公开(公告)日： 2012-06-19
- 发明人: Katsumi Abe , Hideo Hosono , Toshio Kamiya , Kenji Nomura
- 申请人： Katsumi Abe , Hideo Hosono , Toshio Kamiya , Kenji Nomura
- 申请人地址： JP Tokyo JP Tokyo
- 专利权人： Canon Kabushiki Kaisha,Tokyo Institute of Technology
- 当前专利权人： Canon Kabushiki Kaisha,Tokyo Institute of Technology
- 当前专利权人地址： JP Tokyo JP Tokyo
- 代理机构： Fitzpatrick, Cella, Harper & Scinto
- 优先权： JP2004-326685 20041110
- 主分类号： H01L31/20
- IPC分类号： H01L31/20
摘要：
Semiconductor devices and circuits with use of transparent oxide film are provided. The semiconductor device having a P-type region and an N-type region, wherein amorphous oxides with electron carrier concentration less than 1018/cm3 is used for the N-type region.
公开/授权文献
- US20110024741A1 INTEGRATED CIRCUITS UTILIZING AMORPHOUS OXIDES 公开/授权日：2011-02-03
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IPC分类:
