发明授权
- 专利标题： Magnetic domain data storage devices and methods of manufacturing the same
- 专利标题（中）： 磁畴数据存储装置及其制造方法
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申请号： US12000243申请日： 2007-12-11
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公开(公告)号： US08231987B2公开(公告)日： 2012-07-31
- 发明人: Chee-kheng Lim
- 申请人： Chee-kheng Lim
- 申请人地址： KR Gyeonggi-do
- 专利权人： Samsung Electronics Co., Ltd.
- 当前专利权人： Samsung Electronics Co., Ltd.
- 当前专利权人地址： KR Gyeonggi-do
- 代理机构： Harness, Dickey & Pierce, P.L.C.
- 优先权： KR10-2007-0000309 20070102
- 主分类号： G11B5/66
- IPC分类号： G11B5/66
摘要：
Example embodiments may provide data storage devices using movement of magnetic domain walls including a first magnetic layer having at least two magnetic domains with determinable magnetization directions, and/or a soft second magnetic layer formed on a lower surface of the first magnetic layer. Magnetic domain walls may be moved even in curved regions of the first magnetic layer.
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