发明授权
- 专利标题： Multi-dot flash memory
- 专利标题（中）： 多点闪存
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申请号： US12765478申请日： 2010-04-22
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公开(公告)号： US08295093B2公开(公告)日： 2012-10-23
- 发明人: Takashi Ichikawa , Hiroshi Watanabe
- 申请人： Takashi Ichikawa , Hiroshi Watanabe
- 申请人地址： JP Tokyo
- 专利权人： Kabishiki Kaisha Toshiba
- 当前专利权人： Kabishiki Kaisha Toshiba
- 当前专利权人地址： JP Tokyo
- 代理机构： Oblon, Spivak, McClelland, Maier & Neustadt, L.L.P.
- 优先权： JP2009-188637 20090817
- 主分类号： G11C11/34
- IPC分类号： G11C11/34 ; G11C16/04
摘要：
A multi-dot flash memory set potentials of bit lines being disposed at a left side of a selected floating gate to V2(1)>V2(2)>V2(3)> . . . and set potentials of bit lines being disposed at a right side of the selected floating gate to V1(1)
公开/授权文献
- US20110038213A1 MULTI-DOT FLASH MEMORY 公开/授权日：2011-02-17
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