发明授权
- 专利标题： Method and apparatus for reduction of voltage potential spike during dechucking
- 专利标题（中）： 脱扣时降低电压电位尖峰的方法和装置
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申请号： US12410202申请日： 2009-03-24
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公开(公告)号： US08313612B2公开(公告)日： 2012-11-20
- 发明人: Brian McMillin , Jose V. Tong , Yen-Kun Victor Wang
- 申请人： Brian McMillin , Jose V. Tong , Yen-Kun Victor Wang
- 申请人地址： US CA Fremont
- 专利权人： Lam Research Corporation
- 当前专利权人： Lam Research Corporation
- 当前专利权人地址： US CA Fremont
- 代理机构： Buchanan Ingersoll & Rooney PC
- 主分类号： C23C16/00
- IPC分类号： C23C16/00 ; C23C16/50 ; C23F1/00 ; H01L21/306
摘要：
Provided is a substrate dechucking system of a plasma processing chamber adapted to remove a substrate from an ESC with reduction in voltage potential spike during dechucking of the substrate.
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