发明授权
- 专利标题： Method of manufacturing a semiconductor structure
- 专利标题（中）： 制造半导体结构的方法
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申请号： US12122926申请日： 2008-05-19
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公开(公告)号： US08318540B2公开(公告)日： 2012-11-27
- 发明人: Gottfried Beer
- 申请人： Gottfried Beer
- 申请人地址： DE Neubiberg
- 专利权人： Infineon Technologies AG
- 当前专利权人： Infineon Technologies AG
- 当前专利权人地址： DE Neubiberg
- 代理机构： Dicke, Billig & Czaja, PLLC
- 主分类号： H01L21/00
- IPC分类号： H01L21/00
摘要：
A method of manufacturing a semiconductor structure. One embodiment produces a substrate having at least two semiconductor chips embedded in a molded body. A layer is applied over at least one main surface of the substrate by using a jet printing process.
公开/授权文献
- US20090286357A1 METHOD OF MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR STRUCTURE 公开/授权日：2009-11-19
信息查询
IPC分类:
