发明授权
- 专利标题： Compressive polycrystalline silicon film and method of manufacture thereof
- 专利标题（中）： 压缩性多晶硅膜及其制造方法
-
申请号： US13022411申请日： 2011-02-07
-
公开(公告)号： US08318575B2公开(公告)日： 2012-11-27
- 发明人: Wolfgang Lehnert , Stefan Pompl , Markus Meyer
- 申请人： Wolfgang Lehnert , Stefan Pompl , Markus Meyer
- 申请人地址： DE Neubiberg
- 专利权人： Infineon Technologies AG
- 当前专利权人： Infineon Technologies AG
- 当前专利权人地址： DE Neubiberg
- 代理机构： Slater & Matsil, L.L.P.
- 主分类号： H01L21/20
- IPC分类号： H01L21/20 ; H01L21/00 ; H01L21/36
摘要：
In one embodiment a method of forming a compressive polycrystalline semiconductive material layer is disclosed. The method comprises forming a polycrystalline semiconductive seed layer over a substrate and forming a silicon layer by depositing silicon directly on the polycrystalline silicon seed layer under amorphous process conditions at a temperature below 600 C.
公开/授权文献
信息查询
IPC分类:
