发明授权
- 专利标题： Non-volatile memory with extended error correction protection
- 专利标题（中）： 具有扩展纠错保护功能的非易失性存储器
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申请号： US12427706申请日： 2009-04-21
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公开(公告)号： US08321775B2公开(公告)日： 2012-11-27
- 发明人: Christopher Bueb
- 申请人： Christopher Bueb
- 申请人地址： US ID Boise
- 专利权人： Micron Technology, Inc.
- 当前专利权人： Micron Technology, Inc.
- 当前专利权人地址： US ID Boise
- 代理机构： Knobbe Martens Olson & Bear LLP
- 主分类号： G06F11/00
- IPC分类号： G06F11/00
摘要：
Embodiments of the present disclosure provide methods and apparatuses related to NVM devices with extended error correction protection. In some embodiments, a parity cache is used to store parity values of data values stored in a plurality of codewords of an NVM device. Other embodiments may be described and claimed.
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