发明授权
- 专利标题： Flash memory device, programming method and memory system
- 专利标题（中）： 闪存设备，编程方法和存储系统
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申请号： US12719189申请日： 2010-03-08
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公开(公告)号： US08339845B2公开(公告)日： 2012-12-25
- 发明人: Oh Suk Kwon
- 申请人： Oh Suk Kwon
- 申请人地址： KR Suwon-si, Gyeonggi-do
- 专利权人： Samsung Electronics Co., Ltd.
- 当前专利权人： Samsung Electronics Co., Ltd.
- 当前专利权人地址： KR Suwon-si, Gyeonggi-do
- 代理机构： Volentine & Whitt, PLLC
- 优先权： KR10-2009-0025332 20090325
- 主分类号： G11C16/04
- IPC分类号： G11C16/04
摘要：
Provided is a programming method in a flash memory device. The programming method applies a first pass voltage to a selection word line and a non-selection word line, applies a local voltage to the non-selection word line, applies a second pass voltage to the selection word line, and applies a programming voltage to the selection word line.
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