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Invention Grant
US08349726B2 Method for fabricating a structure for a semiconductor device using a halogen based precursor 有权
使用卤素前体制造半导体器件的结构的方法

  • Patent Title: Method for fabricating a structure for a semiconductor device using a halogen based precursor
  • Patent Title (中): 使用卤素前体制造半导体器件的结构的方法
  • Application No.: US12067494
    Application Date: 2006-09-15
  • Publication No.: US08349726B2
    Publication Date: 2013-01-08
  • Inventor: Wim Besling
  • Applicant: Wim Besling
  • Applicant Address: NL Eindhoven
  • Assignee: NXP B.V.
  • Current Assignee: NXP B.V.
  • Current Assignee Address: NL Eindhoven
  • Priority: EP05300768 20050923
  • International Application: PCT/IB2006/053316 WO 20060915
  • International Announcement: WO2007/034391 WO 20070329
  • Main IPC: H01L21/4763
  • IPC: H01L21/4763 ;  H01L21/44
Method for fabricating a structure for a semiconductor device using a halogen based precursor
Abstract:
There is described a method of fabricating a dual damascene structure for a semiconductor device. A halogen based pre-cursor is used during vapor deposition of a diffusion barrier layer in a trench or via formed in a substrate. Residual halogen from the deposition is allowed to remain on the barrier layer and is used to catalyse growth of a metal layer on the barrier layer to fill the trench or via.
Abstract(Chinese):

描述了制造用于半导体器件的双镶嵌结构的方法。 在通过形成在衬底中的沟槽或通孔中的扩散阻挡层的气相沉积期间使用基于卤素的前置标记。 来自沉积的残余卤素保留在阻挡层上，并用于催化阻挡层上的金属层的生长以填充沟槽或通孔。

Public/Granted literature
Information query
Espacenet
IPC分类:
H 电学
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04 ..至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/34 ...具有H01L21/06，H01L21/16及H01L21/18各组不包含的或有或无杂质，例如掺杂材料的半导体的器件
H01L21/46 ....用H01L21/36至H01L21/428各组不包含的方法或设备处理半导体材料的（在半导体材料上制作电极的入H01L21/44）
H01L21/461 .....改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割
H01L21/4763 ......非绝缘层的沉积，例如绝缘层上的导电层、电阻层；这些层的后处理（电极的制造入H01L21/28）
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