发明授权
- 专利标题： Method of forming an MOS transistor and structure therefor
- 专利标题（中）： 一种形成MOS晶体管的方法及其结构
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申请号： US11840826申请日： 2007-08-17
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公开(公告)号： US08350318B2公开(公告)日： 2013-01-08
- 发明人: Gordon M. Grivna , Francine Y. Robb
- 申请人： Gordon M. Grivna , Francine Y. Robb
- 申请人地址： US AZ Phoenix
- 专利权人： Semiconductor Components Industries, LLC
- 当前专利权人： Semiconductor Components Industries, LLC
- 当前专利权人地址： US AZ Phoenix
- 代理商 Robert F. Hightower
- 主分类号： H01L29/66
- IPC分类号： H01L29/66
摘要：
In one embodiment, an MOS transistor is formed with trench gates. The gate structure of the trench gates generally has a first insulator that has a first thickness in one region of the gate and a second thickness in a second region of the gate.
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