发明授权
US08351478B2 Growth structures and method for forming laser diodes on {30-31} or off cut gallium and nitrogen containing substrates
有权
在{30-31}或切割含镓和氮的底物上形成激光二极管的生长结构和方法
- 专利标题： Growth structures and method for forming laser diodes on {30-31} or off cut gallium and nitrogen containing substrates
- 专利标题（中）： 在{30-31}或切割含镓和氮的底物上形成激光二极管的生长结构和方法
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申请号： US12884993申请日： 2010-09-17
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公开(公告)号： US08351478B2公开(公告)日： 2013-01-08
- 发明人: James W. Raring , Nick Pfister , Mathew Schmidt , Christiane Poblenz
- 申请人： James W. Raring , Nick Pfister , Mathew Schmidt , Christiane Poblenz
- 申请人地址： US CA Fremont
- 专利权人： Soraa, Inc.
- 当前专利权人： Soraa, Inc.
- 当前专利权人地址： US CA Fremont
- 代理机构： Kilpatrick Townsend & Stockton LLP
- 主分类号： H01S5/00
- IPC分类号： H01S5/00
摘要：
An optical device having a structured active region configured for one or more selected wavelengths of light emissions and formed on an off-cut m-plane gallium and nitrogen containing substrate.
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