发明授权
- 专利标题： Template derivative for forming ultra-low dielectric layer and method of forming ultra-low dielectric layer using the same
- 专利标题（中）： 用于形成超低介电层的模板衍生物和使用其形成超低介电层的方法
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申请号： US13475178申请日： 2012-05-18
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公开(公告)号： US08354350B2公开(公告)日： 2013-01-15
- 发明人: Sung Kyu Min , Ja Chun Ku , Sang Tae Ahn , Chai O Chung , Hyeon Ju An , Hyo Seok Lee , Eun Jeong Kim , Chan Bae Kim
- 申请人： Sung Kyu Min , Ja Chun Ku , Sang Tae Ahn , Chai O Chung , Hyeon Ju An , Hyo Seok Lee , Eun Jeong Kim , Chan Bae Kim
- 申请人地址： KR Kyoungki-do
- 专利权人： Hynix Semiconductor Inc.
- 当前专利权人： Hynix Semiconductor Inc.
- 当前专利权人地址： KR Kyoungki-do
- 代理机构： Ladas & Parry LLP
- 优先权： KR10-2006-0135737 20061227; KR10-2007-0042106 20070430
- 主分类号： H01L21/31
- IPC分类号： H01L21/31
摘要：
A reactive cyclodextrin derivative or a reactive glucose derivative is used as a template derivative for forming an ultra-low dielectric layer. A layer is formed of the reactive cyclodextrin derivative or the reactive glucose derivative capped with Si—H and then cured in an atmosphere of hydrogen peroxide to form the ultra-low dielectric layer.
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