发明授权
- 专利标题： Semiconductor capacitor
- 专利标题（中）： 半导体电容
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申请号： US13165191申请日： 2011-06-21
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公开(公告)号： US08354703B2公开(公告)日： 2013-01-15
- 发明人: David Vaclav Horak , Shom Ponoth , Hosadurga Shobha , Chih-Chao Yang
- 申请人： David Vaclav Horak , Shom Ponoth , Hosadurga Shobha , Chih-Chao Yang
- 申请人地址： US NY Armonk
- 专利权人： International Business Machines Corporation
- 当前专利权人： International Business Machines Corporation
- 当前专利权人地址： US NY Armonk
- 代理商 Howard M. Cohn; Katherine S. Brown
- 主分类号： H01L29/92
- IPC分类号： H01L29/92
摘要：
A semiconductor capacitor and its method of fabrication are disclosed. A non-linear nitride layer is used to increase the surface area of a capacitor plate, resulting in increased capacitance without increase in chip area used for the capacitor.
公开/授权文献
- US20120012980A1 SEMICONDUCTOR CAPACITOR 公开/授权日：2012-01-19
信息查询
IPC分类:
