发明授权
- 专利标题： Method of operating nonvolatile memory device
- 专利标题（中）： 操作非易失性存储器件的方法
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申请号： US12618973申请日： 2009-11-16
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公开(公告)号： US08374036B2公开(公告)日： 2013-02-12
- 发明人: Byoung Kwan Jeong , Chul Woo Yang
- 申请人： Byoung Kwan Jeong , Chul Woo Yang
- 申请人地址： KR Gyeonggi-do
- 专利权人： Hynix Semiconductor Inc.
- 当前专利权人： Hynix Semiconductor Inc.
- 当前专利权人地址： KR Gyeonggi-do
- 代理机构： IP & T Group LLP
- 优先权： KR10-2008-0113425 20081114; KR10-2009-0058495 20090629
- 主分类号： G11C16/04
- IPC分类号： G11C16/04
摘要：
A method of operating a nonvolatile memory device comprises reading erase number information which is updated and stored whenever erasure is performed, setting program start voltages and step voltages based on the erase number information, and performing a program operation based on the program start voltages and the step voltages.
公开/授权文献
- US20100124122A1 METHOD OF OPERATING NONVOLATILE MEMORY DEVICE 公开/授权日：2010-05-20
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