发明授权
- 专利标题： Drawn dummy FeCAP, via and metal structures
- 专利标题（中）： 绘制虚拟FeCAP，通孔和金属结构
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申请号： US13307829申请日： 2011-11-30
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公开(公告)号： US08377719B2公开(公告)日： 2013-02-19
- 发明人: Scott R. Summerfelt , Rajni J. Aggarwal
- 申请人： Scott R. Summerfelt , Rajni J. Aggarwal
- 申请人地址： US TX Dallas
- 专利权人： Texas Instruments Incorporated
- 当前专利权人： Texas Instruments Incorporated
- 当前专利权人地址： US TX Dallas
- 代理商 Rose Alyssa Keagy; Wade J. Brady, III; Frederick J. Telecky, Jr.
- 主分类号： H01L21/00
- IPC分类号： H01L21/00
摘要：
A process of forming an integrated circuit containing matching components with identical layouts and hydrogen permeable dummy vias in identical configurations over the matching components.
公开/授权文献
- US20120077287A1 DRAWN DUMMY FeCAP, VIA AND METAL STRUCTURES 公开/授权日：2012-03-29
信息查询
IPC分类:
