发明授权
US08377820B2 Method of forming a metallization system of a semiconductor device by using a hard mask for defining the via size
有权
通过使用用于限定通孔尺寸的硬掩模来形成半导体器件的金属化系统的方法
- 专利标题： Method of forming a metallization system of a semiconductor device by using a hard mask for defining the via size
- 专利标题（中）： 通过使用用于限定通孔尺寸的硬掩模来形成半导体器件的金属化系统的方法
-
申请号： US12693030申请日： 2010-01-25
-
公开(公告)号： US08377820B2公开(公告)日： 2013-02-19
- 发明人: Thomas Werner , Kai Frohberg , Frank Feustel
- 申请人： Thomas Werner , Kai Frohberg , Frank Feustel
- 申请人地址： KY Grand Cayman
- 专利权人： GlobalFoundries Inc.
- 当前专利权人： GlobalFoundries Inc.
- 当前专利权人地址： KY Grand Cayman
- 代理机构： Williams, Morgan & Amerson, P.C.
- 优先权： DE102009006798 20090130
- 主分类号： H01L21/4763
- IPC分类号： H01L21/4763
摘要：
In a “via first/trench last” approach for forming metal lines and vias in a metallization system of a semiconductor device, a combination of two hard masks may be used, wherein the desired lateral size of the via openings may be defined on the basis of spacer elements, thereby resulting in significantly less demanding lithography conditions compared to conventional approaches.
公开/授权文献
信息查询
IPC分类:
