发明授权
- 专利标题： Phase change random access memory device and method of manufacturing the same
- 专利标题（中）： 相变随机存取存储器件及其制造方法
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申请号： US12839465申请日： 2010-07-20
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公开(公告)号： US08384056B2公开(公告)日： 2013-02-26
- 发明人: Min Seok Kim , Hyo Seob Yoon
- 申请人： Min Seok Kim , Hyo Seob Yoon
- 申请人地址： KR Gyeonggi-do
- 专利权人： Hynix Semiconductor Inc.
- 当前专利权人： Hynix Semiconductor Inc.
- 当前专利权人地址： KR Gyeonggi-do
- 代理机构： Ladas & Parry LLP
- 优先权： KR10-2009-0093616 20090930
- 主分类号： H01L29/02
- IPC分类号： H01L29/02
摘要：
A phase change random access memory includes a semiconductor substrate, a switching device pattern formed on the semiconductor substrate, a bottom electrode contact pattern formed on the switching device pattern, a phase change layer pattern formed on the bottom electrode contact pattern, and an insulating layer disposed at a portion of an contact surface between the bottom electrode contact pattern and the phase change layer pattern.
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