发明授权
- 专利标题： Back diffusion suppression structures
- 专利标题（中）： 反扩散抑制结构
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申请号： US12756088申请日： 2010-04-07
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公开(公告)号： US08436398B2公开(公告)日： 2013-05-07
- 发明人: Alexander Lidow , Robert Beach , Guang Y. Zhao , Jianjun Cao
- 申请人： Alexander Lidow , Robert Beach , Guang Y. Zhao , Jianjun Cao
- 申请人地址： US CA El Segundo
- 专利权人： Efficient Power Conversion Corporation
- 当前专利权人： Efficient Power Conversion Corporation
- 当前专利权人地址： US CA El Segundo
- 代理机构： Dickstein Shapiro LLP
- 主分类号： H01L31/102
- IPC分类号： H01L31/102 ; H01L29/66
摘要：
An enhancement-mode GaN transistor, the transistor having a substrate, transition layers, a buffer layer comprised of a III Nitride material, a barrier layer comprised of a III Nitride material, drain and source contacts, a gate containing acceptor type dopant elements, and a diffusion barrier comprised of a III Nitride material between the gate and the buffer layer.
公开/授权文献
- US20100258841A1 BACK DIFFUSION SUPPRESSION STRUCTURES 公开/授权日：2010-10-14
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IPC分类:
