发明授权
- 专利标题： Memory erase methods and devices
- 专利标题（中）： 内存擦除方法和设备
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申请号： US13331185申请日： 2011-12-20
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公开(公告)号： US08462559B2公开(公告)日： 2013-06-11
- 发明人: Shigekazu Yamada , Tomoharu Tanaka
- 申请人： Shigekazu Yamada , Tomoharu Tanaka
- 申请人地址： US ID Boise
- 专利权人： Micron Technology, Inc.
- 当前专利权人： Micron Technology, Inc.
- 当前专利权人地址： US ID Boise
- 代理机构： Leffert Jay & Polglaze, P.A.
- 主分类号： G11C11/34
- IPC分类号： G11C11/34
摘要：
Memory devices and erase methods for memories are disclosed, such as those adapted to discharge an erase voltage from a memory block while protecting low voltage string select gate transistors by maintaining the string select gate transistors in a turned on state during discharge.
公开/授权文献
- US20120092933A1 MEMORY ERASE METHODS AND DEVICES 公开/授权日：2012-04-19
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