发明授权
- 专利标题： Semiconductor device and method of manufacturing the same
- 专利标题（中）： 半导体装置及其制造方法
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申请号： US13157681申请日： 2011-06-10
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公开(公告)号： US08541771B2公开(公告)日： 2013-09-24
- 发明人: Jun-youn Kim , Su-hee Chae , Hyun-gi Hong , Young-jo Tak
- 申请人： Jun-youn Kim , Su-hee Chae , Hyun-gi Hong , Young-jo Tak
- 申请人地址： KR Gyeonggi-Do
- 专利权人： Samsung Electronics Co., Ltd.
- 当前专利权人： Samsung Electronics Co., Ltd.
- 当前专利权人地址： KR Gyeonggi-Do
- 代理机构： Harness, Dickey & Pierce, P.L.C.
- 优先权： KR10-2010-0130001 20101217
- 主分类号： H01L29/06
- IPC分类号： H01L29/06 ; H01L31/072 ; H01L31/109 ; H01L31/0328 ; H01L31/0336
摘要：
Example embodiments relate to a semiconductor device and a method of manufacturing the semiconductor device. The semiconductor device may include a pre-seeding layer and a nucleation layer. The pre-seeding layer may include a first material for pre-seeding and a second material for masking so as to reduce tensile stress.
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