Trench-based power semiconductor devices with increased breakdown voltage characteristics

发明授权

US08563377B2 Trench-based power semiconductor devices with increased breakdown voltage characteristics 有权

专利标题： Trench-based power semiconductor devices with increased breakdown voltage characteristics
申请号： US13443986

申请日： 2012-04-11
公开(公告)号： US08563377B2

公开(公告)日： 2013-10-22
发明人: Joseph A. Yedinak , Daniel Calafut , Dean E. Probst
申请人： Joseph A. Yedinak , Daniel Calafut , Dean E. Probst
申请人地址： US ME South Portland
专利权人： Fairchild Semiconductor Corporation
当前专利权人： Fairchild Semiconductor Corporation
当前专利权人地址： US ME South Portland
主分类号： H01L21/336
IPC分类号： H01L21/336

摘要：

Exemplary power semiconductor devices with features providing increased breakdown voltage and other benefits are disclosed.

公开/授权文献

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IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00	专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02	.半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04	..至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18	...器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/334	....制造单极型器件的台阶式工艺
H01L21/335	.....场效应晶体管
H01L21/336	......带有绝缘栅的