发明授权
- 专利标题： Protection layer for preventing UBM layer from chemical attack and oxidation
- 专利标题（中）： 防止UBM层受化学侵蚀和氧化的保护层
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申请号： US12786818申请日： 2010-05-25
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公开(公告)号： US08569897B2公开(公告)日： 2013-10-29
- 发明人: Chung-Shi Liu , Chien Ling Hwang , Ming-Che Ho
- 申请人： Chung-Shi Liu , Chien Ling Hwang , Ming-Che Ho
- 申请人地址： TW
- 专利权人： Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.
- 当前专利权人： Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.
- 当前专利权人地址： TW
- 代理机构： Lowe Hauptman & Ham, LLP
- 主分类号： H01L23/48
- IPC分类号： H01L23/48 ; H01L23/52 ; H01L29/40
摘要：
A protection layer formed of a CuGeyNz layer, a CuSixNz layer, a CuSixGeyNz layer or combinations thereof is formed on an under-bump metallurgy (UBM) layer for preventing the UBM layer from chemical attack and oxidation during subsequent processes.
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