发明授权
- 专利标题： Memristive device
- 专利标题（中）： 忆阻器
-
申请号： US13382281申请日： 2009-07-13
-
公开(公告)号： US08575585B2公开(公告)日： 2013-11-05
- 发明人: Jianhua Yang , Qiangfei Xia , Alexandre M. Bratkovski
- 申请人： Jianhua Yang , Qiangfei Xia , Alexandre M. Bratkovski
- 申请人地址： US TX Houston
- 专利权人： Hewlett-Packard Development Company, L.P.
- 当前专利权人： Hewlett-Packard Development Company, L.P.
- 当前专利权人地址： US TX Houston
- 国际申请： PCT/US2009/050433 WO 20090713
- 国际公布： WO2011/008195 WO 20110120
- 主分类号： H01L29/02
- IPC分类号： H01L29/02 ; H01L47/00 ; H01L23/48 ; H01L23/52 ; H01L29/40 ; H01L21/20
摘要：
A memristive device includes a first electrode, a second electrode crossing the first electrode at a non-zero angle, and an active region disposed between the first and second electrodes. The active region has a controlled defect profile throughout its thickness.
公开/授权文献
- US20120104342A1 Memristive Device 公开/授权日：2012-05-03
信息查询
IPC分类:
