发明授权
- 专利标题： Phase change random access memory apparatus performing a firing operation
- 专利标题（中）： 执行点火操作的相变随机存取存储装置
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申请号： US13219629申请日： 2011-08-27
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公开(公告)号： US08576619B2公开(公告)日： 2013-11-05
- 发明人: Jung Hyuk Yoon , Dong Keun Kim
- 申请人： Jung Hyuk Yoon , Dong Keun Kim
- 申请人地址： KR Gyeonggi-do
- 专利权人： SK Hynix Inc.
- 当前专利权人： SK Hynix Inc.
- 当前专利权人地址： KR Gyeonggi-do
- 代理机构： William Park & Associates Patent Ltd.
- 优先权： KR10-2011-0009086 20110128
- 主分类号： G11C11/00
- IPC分类号： G11C11/00
摘要：
A phase change random access memory (PCRAM) apparatus includes: a memory cell array including a plurality of phase change memory cells; and a firing control unit configured to provide a firing voltage for firing the plurality of phase change memory cells to a global bit line in response to an enable signal based on a test mode signal.
公开/授权文献
- US20120195113A1 PHASE CHANGE RANDOM ACCESS MEMORY APPARATUS 公开/授权日：2012-08-02
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