Methods for forming semiconductor device structures

发明授权

US08586452B2 Methods for forming semiconductor device structures 有权

专利标题： Methods for forming semiconductor device structures
申请号： US13227077

申请日： 2011-09-07
公开(公告)号： US08586452B2

公开(公告)日： 2013-11-19
发明人: Anthony J. Lochtefeld , Thomas A. Langdo , Richard Hammond , Matthew T. Currie , Eugene A. Fitzgerald
申请人： Anthony J. Lochtefeld , Thomas A. Langdo , Richard Hammond , Matthew T. Currie , Eugene A. Fitzgerald
申请人地址： TW Hsin-Chu
专利权人： Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.
当前专利权人： Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.
当前专利权人地址： TW Hsin-Chu
代理机构： Slater & Matsil, L.L.P.
主分类号： H01L21/36
IPC分类号： H01L21/36

摘要：

The benefits of strained semiconductors are combined with silicon-on-insulator approaches to substrate and device fabrication.

公开/授权文献

信息查询

Espacenet

IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00	专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02	.半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04	..至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/34	...具有H01L21/06，H01L21/16及H01L21/18各组不包含的或有或无杂质，例如掺杂材料的半导体的器件
H01L21/36	....半导体材料在基片上的沉积，例如外延生长