发明授权
- 专利标题： Memory array with graded resistance lines
- 专利标题（中）： 具有分级电阻线的存储阵列
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申请号： US12896641申请日： 2010-10-01
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公开(公告)号： US08587985B2公开(公告)日： 2013-11-19
- 发明人: Jianhua Yang , John Paul Strachan , Wei Wu , Janice H. Nickel
- 申请人： Jianhua Yang , John Paul Strachan , Wei Wu , Janice H. Nickel
- 申请人地址： US TX Houston
- 专利权人： Hewlett-Packard Development Company, L.P.
- 当前专利权人： Hewlett-Packard Development Company, L.P.
- 当前专利权人地址： US TX Houston
- 主分类号： G11C11/00
- IPC分类号： G11C11/00
摘要：
A memory array with graded resistance lines includes a first set of lines intersecting a second set of lines. A line from one of the sets of lines includes a graded resistance along a length of the line.
公开/授权文献
- US20120081945A1 MEMORY ARRAY WITH GRADED RESISTANCE LINES 公开/授权日：2012-04-05
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