发明授权
- 专利标题： Semiconductor chip and method for fabricating the same
- 专利标题（中）： 半导体芯片及其制造方法
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申请号： US13006104申请日： 2011-01-13
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公开(公告)号： US08592999B2公开(公告)日： 2013-11-26
- 发明人: Mathias Vaupel
- 申请人： Mathias Vaupel
- 申请人地址： DE Neubiberg
- 专利权人： Infineon Technologies AG
- 当前专利权人： Infineon Technologies AG
- 当前专利权人地址： DE Neubiberg
- 代理机构： Slater & Matsil, L.L.P.
- 主分类号： H01L23/29
- IPC分类号： H01L23/29
摘要：
A semiconductor chip includes a first main face and a second main face opposed to the first main face. Side faces connect the first and second main faces. The side faces are at least partially covered with an anti-EBO compound and/or a surface energy reducing compound.
公开/授权文献
- US20120181710A1 Semiconductor Chip and Method for Fabricating the Same 公开/授权日：2012-07-19
信息查询
IPC分类:
