发明授权
- 专利标题： Apparatus for memory with improved performance and associated methods
- 专利标题（中）： 具有改进性能和相关方法的记忆装置
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申请号： US12277411申请日： 2008-11-25
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公开(公告)号： US08630113B1公开(公告)日： 2014-01-14
- 发明人: Yanzhong Xu , Jeffrey T. Watt
- 申请人： Yanzhong Xu , Jeffrey T. Watt
- 申请人地址： US CA San Jose
- 专利权人： Altera Corporation
- 当前专利权人： Altera Corporation
- 当前专利权人地址： US CA San Jose
- 代理机构： Law Offices of Maximilian R. Peterson
- 主分类号： G11C11/34
- IPC分类号： G11C11/34
摘要：
An integrated circuit (IC) includes a memory circuit. The memory circuit includes a plurality of thyristors. The plurality of thyristors are coupled in tandem.
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