发明授权
US08644055B2 Nonvolatile memory with enhanced efficiency to address asymetric NVM cells
有权
非易失性存储器，提高了解决不对称NVM单元的效率
- 专利标题： Nonvolatile memory with enhanced efficiency to address asymetric NVM cells
- 专利标题（中）： 非易失性存储器，提高了解决不对称NVM单元的效率
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申请号： US12963820申请日： 2010-12-09
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公开(公告)号： US08644055B2公开(公告)日： 2014-02-04
- 发明人: Alexandre Ney
- 申请人： Alexandre Ney
- 申请人地址： DE Neubiberg
- 专利权人： Infineon Technologies AG
- 当前专利权人： Infineon Technologies AG
- 当前专利权人地址： DE Neubiberg
- 代理机构： SpryIP, LLC
- 主分类号： G11C11/00
- IPC分类号： G11C11/00
摘要：
This application describes embodiments of MRAM cells that utilize a PMOS transistor as an access transistor. The MRAM cells are configured to mitigate the effects of applying asymmetric current loads to transition a Magnetic-Tunnel Junction of the MRAM cell between magnetoresistive states.
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